onsemi N Kanal, MOSFET, 201 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, NTB

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

52 684,80 kr

(exkl. moms)

65 856,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 +65,856 kr52 684,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
202-5687
Tillv. art.nr:
NTB004N10G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

201A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

NTB

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

6.82mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

175nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

340W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

4.83mm

Standarder/godkännanden

Pb-Free and are RoHS

Höjd

15.88mm

Längd

10.63mm

Fordonsstandard

Nej

Effekt-MOSFET från ON Semiconductor körs med 201 ampere och 100 volt. Den kan användas i byte under drift i 48 V-system.

Låg dränering till källa på resistans

Hög strömkapacitet

Brett säkert arbetsområde

Blyfri

Halogenfria

RoHS-kompatibel

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.