STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 68 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST
- RS-artikelnummer:
- 202-5548
- Tillv. art.nr:
- STW70N65DM6-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
3 495,75 kr
(exkl. moms)
4 369,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 30 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 116,525 kr | 3 495,75 kr |
| 150 + | 109,181 kr | 3 275,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 202-5548
- Tillv. art.nr:
- STW70N65DM6-4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 68A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | ST | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.036Ω | |
| Kanalläge | Avskrivningar | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 450W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 125nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.1mm | |
| Längd | 15.9mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 41.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 68A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie ST | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.036Ω | ||
Kanalläge Avskrivningar | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 450W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 125nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.1mm | ||
Längd 15.9mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 41.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET är en del av MDmeshTM DM6-seriens snabba återhämtningsdioder. Jämfört med föregående MDmesh snabb generation kombinerar DM6 mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), återhämtningstid (trr) och utmärkt förbättring av RDS(on) per område med ett av de mest effektiva omkopplingsbeteenden som finns på marknaden.
100 % avalanche-testade
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 68 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 52 A 600 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 39 A 600 V Avskrivningar, 4 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 62 A 600 V Avskrivningar, 4 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET-moduler, 38 A 600 V Avskrivningar, 3 Ben, TO-247, ST
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 20 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 33 A 1200 V Avskrivningar, 3 Ben, Hip-247, SCT