onsemi N Kanal, MOSFET, 262 A 60 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NTMJS1D4N06CL
- RS-artikelnummer:
- 201-3408
- Tillv. art.nr:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
228,03 kr
(exkl. moms)
285,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 22,803 kr | 228,03 kr |
| 100 - 240 | 19,667 kr | 196,67 kr |
| 250 + | 17,058 kr | 170,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 201-3408
- Tillv. art.nr:
- NTMJS1D4N06CLTWG
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 262A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | LFPAK | |
| Serie | NTMJS1D4N06CL | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.3Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 103nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 180W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 5mm | |
| Längd | 4.9mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 262A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp LFPAK | ||
Serie NTMJS1D4N06CL | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.3Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 103nC | ||
Maximal effektförlust Pd 180W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 5mm | ||
Längd 4.9mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 1.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor 60 V N-kanal MOSFET har industriell effekt i en 5 x 6 mm används för kompakt och effektiv design och inklusive hög termisk prestanda och det är också dessa enheter är blyfria och är RoHS-kompatibla.
Låga minimerar ledningsförluster
Låg QG och kapacitans för att minimera drivförluster
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 262 A 60 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NTMJS1D4N06CL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 71 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NTMYS5D3N04C
- onsemi N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NTMJS0D9N04CL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 300 A 40 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NTMJS1D0N04C
- onsemi N Kanal, MOSFET, 250 A 60 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NTMJS1D6N06CL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 258 A 40 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NTMYS1D2N04CL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 49 A 40 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NTMYS8D0N04C
- onsemi N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NTMJS1D5N04CL