onsemi N Kanal, MOSFET, 470 A 60 V Förbättring, 8 Ben, H-PSOF, NTBLS0D7N06C
- RS-artikelnummer:
- 201-3406
- Tillv. art.nr:
- NTBLS0D7N06C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
474,21 kr
(exkl. moms)
592,76 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 94,842 kr | 474,21 kr |
| 50 - 95 | 81,738 kr | 408,69 kr |
| 100 + | 70,874 kr | 354,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 201-3406
- Tillv. art.nr:
- NTBLS0D7N06C
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 470A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | H-PSOF | |
| Serie | NTBLS0D7N06C | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 750mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 314W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 9.9mm | |
| Höjd | 11.78mm | |
| Bredd | 2.4mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 470A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp H-PSOF | ||
Serie NTBLS0D7N06C | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 750mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 314W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 9.9mm | ||
Höjd 11.78mm | ||
Bredd 2.4mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor 60 V N-kanal MOSFET har låga minimala ledningsförluster på 0,75 m och den har också lägre omkopplingsbrus/EMI. I dessa enheter är de Pb-fria, halogenfria/BFR-fria och är RoHS-kompatibla.
Låg QG och kapacitans för att minimera drivförluster
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 470 A 60 V Förbättring, 8 Ben, H-PSOF, NTBLS0D7N06C
- onsemi N Kanal, MOSFET, 49 A 650 V Förbättring, 8 Ben, H-PSOF, NTBL050N65S
- onsemi N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 4 Ben, H-PSOF, SUPERFET III
- onsemi N Kanal, MOSFET, 240 A 100 V Förbättring, 8 Ben, H-PSOF, FDBL AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 241.3 A 80 V N, 8 Ben, H-PSOF
- onsemi 1 N Kanal N-kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 12 Ben, WQFN, NTTF
- onsemi N Kanal, MOSFET, 250 A 60 V Förbättring, 5 Ben, DFN, NTMFS5H600NL
- onsemi N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench