onsemi N Kanal, MOSFET, 258 A 40 V Förbättring, 8 Ben, LFPAK, NTMYS1D2N04CL

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

44 181,00 kr

(exkl. moms)

55 227,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 07 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +14,727 kr44 181,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
189-0262
Tillv. art.nr:
NTMYS1D2N04CLTWG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

258A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

NTMYS1D2N04CL

Kapseltyp

LFPAK

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

1.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

109nC

Maximal effektförlust Pd

134W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Bredd

4.9mm

Höjd

1.2mm

Fordonsstandard

Nej

Industriell effekt-MOSFET i ett 5 x 6 mm LFPAK-paket utformat för kompakta och effektiva konstruktioner och inklusive hög termisk prestanda.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.