onsemi N Kanal, MOSFET, 133 A 60 V Förbättring, 4 Ben, LFPAK, NVMYS3D3N06CL AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
195-2512
Tillv. art.nr:
NVMYS3D3N06CLTWG
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

133A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

LFPAK

Serie

NVMYS3D3N06CL

Typ av fäste

Yta

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

4.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

100W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

40.7nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

5mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.15mm

Bredd

4.25mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK4 Package, Industry Standard

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.