STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 53 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh M5
- RS-artikelnummer:
- 192-4977P
- Tillv. art.nr:
- STB45N30M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 10 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
717,90 kr
(exkl. moms)
897,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 10 - 18 | 71,79 kr |
| 20 - 48 | 67,815 kr |
| 50 - 98 | 64,23 kr |
| 100 + | 61,04 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 192-4977P
- Tillv. art.nr:
- STB45N30M5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 53A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 300V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | MDmesh M5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.04Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 95nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Höjd | 4.37mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 53A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 300V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie MDmesh M5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.04Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 95nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Höjd 4.37mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
This device is an N-channel Power MOSFET based on the MDmesh™ M5 innovative vertical process technology combined with the well-known PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product offers extremely low on-resistance, making it particularly suitable for applications requiring high power and superior efficiency.
Extremely low RDS(on)
Low gate charge and input capacitance
Excellent switching performance