STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 80 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- RS-artikelnummer:
- 188-8527P
- Tillv. art.nr:
- STB80NF55-06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal 50 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
1 612,80 kr
(exkl. moms)
2 016,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 06 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 50 - 120 | 32,256 kr |
| 125 + | 25,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8527P
- Tillv. art.nr:
- STB80NF55-06T4
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 6.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 142nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.4mm | |
| Bredd | 9.35mm | |
| Höjd | 4.37mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 6.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 142nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.4mm | ||
Bredd 9.35mm | ||
Höjd 4.37mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
"Denna effekt-MOSFET är den senaste utvecklingen av STMicroelectronis unika ""Single Feature SizeTM" remsbaserad process." Den resulterande transistorn visar extremt hög packningstäthet för låg påslagningsresistans, robusta avalanchegenskaper och mindre kritiska inriktningssteg och därför en anmärkningsvärd tillverkningsrepeterbarhet.
Exceptionell dv/dt-kapacitet
Applikationsorienterad karakterisering
Användningsområden
Omkopplingstillämpning
Användningsområden
Omkopplingstillämpning