STMicroelectronics 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 188-8293
- Tillv. art.nr:
- STL40DN3LLH5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
20 043,00 kr
(exkl. moms)
25 053,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 28 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 6,681 kr | 20 043,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8293
- Tillv. art.nr:
- STL40DN3LLH5
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 40A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Serie | STripFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 25mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 50W | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.2mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Serie STripFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 25mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 50W | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.2mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.95mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.
Low on-resistance
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Wettable flank package
Applications
Switching applications
Relaterade länkar
- STMicroelectronics 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F3 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 140 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET F7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ P Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STripFET