STMicroelectronics, MOSFET Förbättring, 3 Ben, TO-220
- RS-artikelnummer:
- 188-8476
- Tillv. art.nr:
- STGP8NC60KD
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
82,77 kr
(exkl. moms)
103,46 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 8,277 kr | 82,77 kr |
| 100 - 490 | 7,392 kr | 73,92 kr |
| 500 - 990 | 6,362 kr | 63,62 kr |
| 1000 - 1990 | 6,272 kr | 62,72 kr |
| 2000 + | 6,205 kr | 62,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8476
- Tillv. art.nr:
- STGP8NC60KD
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 2.1V | |
| Maximal effektförlust Pd | 65W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 15.75mm | |
| Bredd | 4.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 2.1V | ||
Maximal effektförlust Pd 65W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 15.75mm | ||
Bredd 4.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Denna IGBT använder den avancerade PowerMESHTM-processen, vilket resulterar i en utmärkt kompromiss mellan omkopplingsprestanda och lågt påslagningsbeteende.
Lågt spänningsfall vid påslagning (VCE(sat))
Mycket mjuk antiparallell diod med ultrasnabb återställning
Lägre CRES / CIES-förhållande (ingen känslighet för korskoppling)
Kortslutningshålltid 10 μs
Användningsområden
Högfrekvent motorstyrning
SMPS och PFC i både hårda switchar och resonanta topologier
Motordrivrutiner
Relaterade länkar
- STMicroelectronics, MOSFET Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 900 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, SiC MOSFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 7.2 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 6.5 A 1 kV Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 4.3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220