Vishay N Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQJA38EP AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

15 564,00 kr

(exkl. moms)

19 455,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 09 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +5,188 kr15 564,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-4917
Tillv. art.nr:
SQJA38EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

SO-8

Serie

SQJA38EP

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

6.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

68W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

48.2nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Bredd

4.47mm

Höjd

1.01mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

Automotive N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.

TrenchFET® effekt-MOSFET

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.