Vishay N Kanal, MOSFET, 60 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SQJA38EP AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
188-4917
Tillv. art.nr:
SQJA38EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

SQJA38EP

Kapseltyp

SO-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

6.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

48.2nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

68W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

5mm

Höjd

1.01mm

Bredd

4.47mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

AEC-Q101

Automotive N-kanal 40 V (D-S) 175 °C MOSFET.

TrenchFET® effekt-MOSFET

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.