Vishay 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 850 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, TrenchFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

5 121,00 kr

(exkl. moms)

6 402,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 12 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,707 kr5 121,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
188-4911
Tillv. art.nr:
SQ1922AEEH-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

850mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-363

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

530mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.9nC

Maximal effektförlust Pd

1.5W

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Bredd

1.35mm

Längd

2.2mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Bil Dual N-kanal 20 V (D-S) 175 °C MOSFET.

TrenchFET® effekt-MOSFET

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.