Vishay 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 850 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, TrenchFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
188-4911
Tillv. art.nr:
SQ1922AEEH-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

850mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-363

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

530mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

12V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

0.9nC

Framåtriktad spänning Vf

0.8V

Maximal effektförlust Pd

1.5W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

1.35mm

Längd

2.2mm

Höjd

1mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

AEC-Q101

Bil Dual N-kanal 20 V (D-S) 175 °C MOSFET.

TrenchFET® effekt-MOSFET

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.