onsemi 2 N Kanal Dubbel, Liten signal, 540 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SOT-563

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 100 enheter)*

152,00 kr

(exkl. moms)

190,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
100 - 4001,52 kr152,00 kr
500 - 9001,31 kr131,00 kr
1000 +1,136 kr113,60 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
184-1406
Tillv. art.nr:
NTZD3154NT1G
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

Liten signal

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

540mA

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

SOT-563

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

900mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.7V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

1.5nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

7V

Maximal effektförlust Pd

250mW

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

1.3mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.6mm

Längd

1.7mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Detta är en 20 V N-kanals effekt-MOSFET.

Låg RDS(on) förbättrar systemets effektivitet

Låg tröskelspänning

Litet fotavtryck 1.6 x 1.6 mm

ESD-skyddad grind

Användningsområden:

Last-/strömbrytare

Strömförsörjningsomvandlarkretsar

Batterihantering

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.