DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 15 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TSSOP, DMN AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 182-7013
- Tillv. art.nr:
- DMN3020UTS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
32,725 kr
(exkl. moms)
40,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 550 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 + | 1,309 kr | 32,73 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 182-7013
- Tillv. art.nr:
- DMN3020UTS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | DMN | |
| Kapseltyp | TSSOP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 50mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.4W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 27nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 4.5mm | |
| Höjd | 1.02mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie DMN | ||
Kapseltyp TSSOP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 50mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 1.4W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 27nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 4.5mm | ||
Höjd 1.02mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Low Gate Threshold Voltage Low On-Resistance ESD Protected Gate Applications Battery Management Application Power Management Functions DC-DC Converters
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal 15 A 30 V Förbättring TSSOP, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 5 A 60 V Förbättring SOIC, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 5.3 A 100 V Förbättring PowerDI3333, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 8 A 60 V Förbättring SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 80 A 30 V Förbättring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 15.4 A 30 V Förbättring SOT-223, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 14.4 A 30 V Förbättring TO-252, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 12.2 A 40 V Förbättring TO-252, DMN AEC-Q101
