Vishay 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 7.7 A 100 V, 3 Ben
- RS-artikelnummer:
- 180-8800
- Tillv. art.nr:
- IRFU120PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 58,30 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
93,30 kr
(exkl. moms)
116,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 9,33 kr | 93,30 kr | - |
| 100 - 240 | 8,747 kr | 87,47 kr | 58,30 kr |
| 250 - 490 | 8,389 kr | 83,89 kr | 235,25 kr |
| 500 - 990 | 7,459 kr | 74,59 kr | 935,50 kr |
| 1000 + | 7,00 kr | 70,00 kr | 2 330,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-8800
- Tillv. art.nr:
- IRFU120PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Typ av fäste | Yta, Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.27Ω | |
| Maximal effektförlust Pd | 42W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | Directive 2011/65/EU, RoHS, JEDEC JS709A | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Typ av fäste Yta, Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.27Ω | ||
Maximal effektförlust Pd 42W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden Directive 2011/65/EU, RoHS, JEDEC JS709A | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay IRFU120 är en N-kanals effekt-MOSFET med en dränerings-till-källa-spänning (Vds) på 100 V. Gate-till-källa-spänningen (VGS) är 20 V. Den har DPAK (TO-252) och IPAK (TO-251) hölje. Den har ett dräneringsmotstånd (RDS) på 0..27 ohm vid 10 VGS.
Dynamisk dV/dt-klassning
Repeterande lavinrörelse
Ytmontering
Relaterade länkar
- Vishay 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 7.7 A 100 V, 3 Ben
- Vishay N Kanal, MOSFET, 7.7 A 100 V, 3 Ben, TO-252
- Vishay N Kanal, MOSFET, 7.7 A 60 V, 3 Ben, IPAK
- Vishay N Kanal, MOSFET, 7.7 A 60 V, 3 Ben, TO-252
- Vishay N Kanal, MOSFET, 7.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, IRLU
- Vishay N Kanal, MOSFET, 7.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRFR
- Vishay N Kanal, MOSFET, 7.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IRLR
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.7 A 100 V, 3 Ben, TO-220