Vishay 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 50 A 60 V, TO-220AB
- RS-artikelnummer:
- 180-8367
- Tillv. art.nr:
- IRLZ44PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 180-8367
- Tillv. art.nr:
- IRLZ44PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 50A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.028Ω | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 66nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 10V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 150W | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 10.52mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS 2002/95/EC | |
| Längd | 14.4mm | |
| Höjd | 6.48mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 50A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.028Ω | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 66nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 10V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 150W | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 10.52mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS 2002/95/EC | ||
Längd 14.4mm | ||
Höjd 6.48mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET är en N-kanal, TO-220AB-3-kapsel är en ny tidsprodukt med en dräneringskällspänning på 60 V och maximal grindkällspänning på 10 V. Den har ett drain-source-motstånd på 28 mohm vid en gate-source-spänning på 5 V. MOSFET har en maximal effektförlust på 150 W. Denna produkt har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Dynamisk dV/dt-klassning
• Enkel synkronisering
• Snabbväxlande
• Blyfri (Pb) komponent
• Logic-Level Gate Drive
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 175 °C
• RDS (på) specificerad vid VGS = 4 V och 5 V
• Enkla krav på drivning
Användningsområden
• Batteriladdare
• Växelriktare
• Strömförsörjningar
• Strömförsörjning i växlingsläge (SMPS)
Relaterade länkar
- Vishay 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 50 A 60 V, TO-220AB
- Vishay 1 N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 50 A 60 V, TO-220AB
- Vishay N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V, TO-220AB
- Nexperia Enkel N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB
- Vishay N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 5.2 A 200 V, TO-220AB
- Vishay 1 N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 16 A 500 V, TO-220AB
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 11 A 60 V, TO-220AB
- Vishay 1 N Kanal, Effekt-MOSFET, 30 A 60 V, 3 Ben, TO-220AB