Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 11 A 60 V, TO-220AB
- RS-artikelnummer:
- 180-8692
- Tillv. art.nr:
- IRF9Z24PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
115,58 kr
(exkl. moms)
144,475 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 23,116 kr | 115,58 kr |
| 50 - 120 | 20,788 kr | 103,94 kr |
| 125 - 245 | 19,644 kr | 98,22 kr |
| 250 - 495 | 18,524 kr | 92,62 kr |
| 500 + | 17,338 kr | 86,69 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-8692
- Tillv. art.nr:
- IRF9Z24PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-220AB | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.28Ω | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 60W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Standarder/godkännanden | RoHS 2002/95/EC | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-220AB | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.28Ω | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 60W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Standarder/godkännanden RoHS 2002/95/EC | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-263-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 280mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 60W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Dynamic dV/dt rating
• Ease of paralleling
• Fast switching
• Lead (Pb) free component
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• Repetitive avalanche rated
• Simple drive requirements
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• Battery chargers
• Inverters
• Power supplies
• Switching mode power supply (SMPS)
Relaterade länkar
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 11 A 60 V, TO-220AB
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 18 A 50 V, TO-220AB
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 11 A 60 V, TO-263
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 50 A 60 V, TO-220AB
- Vishay Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 5.2 A 200 V, TO-220AB
- Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, 6.7 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, RF9Z10
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 16 A 500 V, TO-220AB
- Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 15 A 50 V, 3 Ben, TO-220AB