Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, -0.4 A 200 V, 4 Ben, HVMDIP
- RS-artikelnummer:
- 180-8321
- Tillv. art.nr:
- IRFD9210PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rör med 100 enheter)*
229,90 kr
(exkl. moms)
287,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 100 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 100 + | 2,299 kr | 229,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-8321
- Tillv. art.nr:
- IRFD9210PBF
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -0.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | HVMDIP | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3Ω | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 8.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.79mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS 2002/95/EC | |
| Höjd | 8.38mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -0.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp HVMDIP | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3Ω | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.79mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS 2002/95/EC | ||
Höjd 8.38mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
Vishay IRFD9210 är en P-kanal-effekt-MOSFET med drain-till-källspänning (Vds) på -200 V. Gate-till-källspänningen (VGS) är 20 V. Den har HVMDIP-paket. Den har ett dräneringsmotstånd (RDS) på 3 ohm vid 10 VGS.
Dynamisk dV/dt-klassning
Repeterande lavinrörelse
För automatisk insättning
Relaterade länkar
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, -0.4 A 200 V, 4 Ben, HVMDIP
- Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, 1.6 A 60 V Förbättring, 4 Ben, HVMDIP, IRFD9020
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 1.6 A 60 V Förbättring, 4 Ben, HVMDIP
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 4 Ben, HVMDIP
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 1 A 100 V, 4 Ben, HVMDIP, IRFD9120
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 11 A 60 V, TO-263
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 18 A 50 V, TO-220AB
- Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 6.8 A 100 V, TO-263
