Vishay 1 N Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 2.2 A 600 V, 3 Ben

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 001,30 kr

(exkl. moms)

1 251,60 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 03 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 +20,026 kr1 001,30 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
180-8314
Tillv. art.nr:
IRFBC20SPBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

2.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Typ av fäste

Genomgående hål, Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

4.4Ω

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18nC

Maximal effektförlust Pd

3.1W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Transistorkonfiguration

Enkel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Antal element per chip

1

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
Vishay IRFBC20S är en N-kanals effekt-MOSFET med en dränerings-till-källa-spänning (Vds) på 600 V. Gate-till-källa-spänningen (VGS) är 20 V. Den har I2PAK (TO-262) och D2PAK (TO-263) hölje. Den har ett dräneringsmotstånd (RDS) på 4,4 ohm vid 10 VGS. Maximal avloppsström 2,2 A.

Ytmontering

Dynamisk dV/dt-klassning

150 °C driftstemperatur

Snabbväxlande

Fullständigt lavinklassad

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.