Vishay N Kanal, Effekt-MOSFET, 5.3 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal 100 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*

1 094,20 kr

(exkl. moms)

1 367,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 4 730 enhet(er), redo att levereras

Enheter
Per enhet
100 - 24010,942 kr
250 - 4908,613 kr
500 - 9907,47 kr
1000 +6,093 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
180-8002P
Tillv. art.nr:
SI4900DY-T1-E3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

5.3A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

SO-8

Serie

TrenchFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.058Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

13nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

3.1W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

IEC 61249-2-21

Bredd

4mm

Längd

4.8mm

Höjd

1.35mm

Fordonsstandard

Nej

Vishay Siliconix SI4900DY-serien TrenchFET med dubbel N-kanal effekt-MOSFET har en dränerings-till-källspänning på 60 V. Den används i LCD-TV och CCFL-omvandlare.

Blyfria

Halogenfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.