Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 4.8 A 150 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8

RS-artikelnummer:: 180-7862
Tillv. art.nr:: SI7898DP-T1-E3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 4.8 A 150 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

87,25 kr

(exkl. moms)

109,05 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 2 590 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
5 - 45	17,45 kr	87,25 kr
50 - 120	15,724 kr	78,62 kr
125 - 245	12,746 kr	63,73 kr
250 - 495	10,304 kr	51,52 kr
500 +	9,274 kr	46,37 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7862
Tillv. art.nr:: SI7898DP-T1-E3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	4.8A
	Maximal källspänning för dränering Vds	150V
	Kapseltyp	PowerPAK SO-8
	Fästetyp	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.085Ω
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	21nC
	Maximal effektförlust Pd	5W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	±20 V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	IEC 61249-2-21
	Bredd	5.26 mm
	Höjd	1.12mm
	Längd	6.25mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.8A
	Maximal källspänning för dränering Vds 150V
	Kapseltyp PowerPAK SO-8
	Fästetyp Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.085Ω
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC
	Maximal effektförlust Pd 5W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21
	Bredd 5.26 mm
	Höjd 1.12mm
	Längd 6.25mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 150V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 85mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 5W and continuous drain current of 4.8A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 6V and 10V respectively. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free component

• New low thermal resistance PowerPAK package with small size and low 1.07mm profile

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• PWM optimised

• TrenchFET power MOSFET for fast switching

Applications

• DC/DC power supply primary side switches

• Industrial motor drives

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested