Vishay N Kanal, MOSFET, 4.8 A 150 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8
- RS-artikelnummer:
- 180-7322
- Tillv. art.nr:
- SI7898DP-T1-E3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 180-7322
- Tillv. art.nr:
- SI7898DP-T1-E3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 4.8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | PowerPAK SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.085Ω | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 5.26mm | |
| Längd | 6.25mm | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC 61249-2-21 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4.8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp PowerPAK SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.085Ω | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 5.26mm | ||
Längd 6.25mm | ||
Höjd 1.12mm | ||
Standarder/godkännanden IEC 61249-2-21 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
Vishays ytmonterade PowerPAK-SO-8 MOSFET med N-kanal är en ny produkt med en dräneringskällspänning på 150 V och en maximal grindkällspänning på 20 V. Den har ett drain-source-motstånd på 85 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en maximal effektförlust på 5 W och kontinuerlig dräneringsström på 4,8 A. Den har en lägsta och en högsta drivspänning på 6 V respektive 10 V. Denna produkt har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.
Funktioner och fördelar
• Halogenfria
• Blyfri (Pb) komponent
• Nytt PowerPAK-paket med låg termisk resistans, liten storlek och låg profil på 1,07 mm
• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C
• PWM-optimerad
• TrenchFET-effekt-MOSFET för snabb omkoppling
Användningsområden
• DC/DC-strömförsörjning primäromkopplare
• Industriella motordrivningar
Certifieringar
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg-testad
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 4.8 A 150 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 1.8 A 200 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 3.2 A 60 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 33.8 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 26.8 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, SiR
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 2.2 A 150 V, PowerPAK 1212-8
- Vishay, IGBT, Typ P Kanal, 8 Ben, PowerPAK SO-8 Yta
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 30 V, PowerPAK SO-8