Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 36 A 60 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 180-7403
Tillv. art.nr:: SQJ457EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 36 A 60 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

15 339,00 kr

(exkl. moms)

19 173,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 28 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	5,113 kr	15 339,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7403
Tillv. art.nr:: SQJ457EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	Typ P
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	36A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	SQJ
	Kapseltyp	PowerPAK SO-8L
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.025Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	65nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	68W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Transistorkonfiguration	Enkel
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	AEC-Q101
	Längd	6.15mm
	Höjd	1.14mm
	Antal element per chip	1
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp Typ P
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie SQJ
	Kapseltyp PowerPAK SO-8L
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.025Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 65nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 68W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Transistorkonfiguration Enkel
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden AEC-Q101
	Längd 6.15mm
	Höjd 1.14mm
	Antal element per chip 1
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

Vishays MOSFET är en P-kanal, TO-263-3-kapsel är en ny tidsprodukt med en dräneringskällspänning på 60 V och maximal grindkällspänning på 20 V. Den har ett drain-source-motstånd på 6,7 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en maximal effektförlust på 375 W. Denna produkt har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.

Funktioner och fördelar

• Halogen- och blyfri (Pb) komponent

• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 175 °C

• TrenchFET effekt MOSFET

Användningsområden

• Adapteromkopplare

• Primäromkopplare DC/DC

• Lastomkopplare

• Strömhantering

Certifieringar

• AEC-Q101-godkänd

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-testad

• UIS-testat