Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 36 A 60 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 180-7403
Tillv. art.nr:: SQJ457EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay 1 Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 36 A 60 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

15 366,00 kr

(exkl. moms)

19 206,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 23 december 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	5,122 kr	15 366,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7403
Tillv. art.nr:: SQJ457EP-T1_GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	36A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Serie	SQJ
	Kapseltyp	PowerPAK SO-8L
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.025Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	65nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	68W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	±20 V
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Transistorkonfiguration	Enkel
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Höjd	1.14mm
	Standarder/godkännanden	AEC-Q101
	Längd	6.15mm
	Bredd	5.13 mm
	Antal element per chip	1
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 36A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Serie SQJ
	Kapseltyp PowerPAK SO-8L
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.025Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 65nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 68W
	Maximal spänning för grindkälla Vgs ±20 V
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Transistorkonfiguration Enkel
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Höjd 1.14mm
	Standarder/godkännanden AEC-Q101
	Längd 6.15mm
	Bredd 5.13 mm
	Antal element per chip 1
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-263-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 6.7mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 375W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen and lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Adaptor switches

• DC/DC primary switches

• Load switches

• Power management

Certifications

• AEC-Q101 qualified

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested