Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 60 A 100 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8

RS-artikelnummer:: 180-7355
Tillv. art.nr:: SIR882ADP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 60 A 100 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

31 893,00 kr

(exkl. moms)

39 867,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	10,631 kr	31 893,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7355
Tillv. art.nr:: SIR882ADP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	60A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	PowerPAK SO-8
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.0087Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	19.5nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Maximal effektförlust Pd	83W
	Transistorkonfiguration	Enkel
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Höjd	1.12mm
	Längd	6.25mm
	Antal element per chip	1
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp PowerPAK SO-8
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.0087Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19.5nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Maximal effektförlust Pd 83W
	Transistorkonfiguration Enkel
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Höjd 1.12mm
	Längd 6.25mm
	Antal element per chip 1
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 100V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 8.7mohms at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 83W and continuous drain current of 60A. It has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V respectively. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Halogen free

• Lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET for fast switching

Applications

• DC/DC primary side switch

• Industrial sites

• Telecom/server 48V, full/half-bridge DC/DC

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

• UIS tested