Vishay 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 60 A 100 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8

RS-artikelnummer:: 180-7355
Tillv. art.nr:: SIR882ADP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay 1 N Kanal Enkel, MOSFET, 60 A 100 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

35 562,00 kr

(exkl. moms)

44 454,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	11,854 kr	35 562,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7355
Tillv. art.nr:: SIR882ADP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	60A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	PowerPAK SO-8
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	0.0087Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	19.5nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	83W
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Transistorkonfiguration	Enkel
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.12mm
	Längd	6.25mm
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	5.26mm
	Antal element per chip	1
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp PowerPAK SO-8
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 0.0087Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19.5nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 83W
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Transistorkonfiguration Enkel
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.12mm
	Längd 6.25mm
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 5.26mm
	Antal element per chip 1
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

Vishays ytmonterade PowerPAK-SO-8 MOSFET med N-kanal är en ny produkt med en dräneringskällspänning på 100 V och en maximal grindkällspänning på 20 V. Den har ett drain-source-motstånd på 8,7 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en maximal effektförlust på 83 W och kontinuerlig dräneringsström på 60 A. Den har en minsta och en högsta driftspänning på 4,5 V respektive 10 V. Denna produkt har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.

Funktioner och fördelar

• Halogenfria

• Blyfri (Pb) komponent

• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C

• TrenchFET-effekt-MOSFET för snabb omkoppling

Användningsområden

• DC/DC-primäromkopplare

• Industriella anläggningar

• Telecom/server 48 V, full/halv-brygga DC/DC

Certifieringar

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-testad

• UIS-testat