Vishay Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 40 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET

RS-artikelnummer:: 180-7310
Tillv. art.nr:: SI7139DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay Typ P Kanal Enkel, MOSFET, 40 A 30 V, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

21 117,00 kr

(exkl. moms)

26 397,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Sista RS lager

Slutlig(a) 3 000 enhet(er), redo att levereras

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	7,039 kr	21 117,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 180-7310
Tillv. art.nr:: SI7139DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	40A
	Maximal källspänning för dränering Vds	30V
	Kapseltyp	PowerPAK SO-8
	Serie	TrenchFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	00090Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	49.5nC
	Maximal effektförlust Pd	48W
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Transistorkonfiguration	Enkel
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.12mm
	Längd	6.25mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ P
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 40A
	Maximal källspänning för dränering Vds 30V
	Kapseltyp PowerPAK SO-8
	Serie TrenchFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 00090Ω
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 49.5nC
	Maximal effektförlust Pd 48W
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Transistorkonfiguration Enkel
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.12mm
	Längd 6.25mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

COO (ursprungsland):: CN

Vishay MOSFET

Vishays MOSFET är ett P-kanal, PowerPAK-SO-8-paket är en ny tidsprodukt med en dräneringskällspänning på 30 V och maximal grindkällspänning på 20 V. Den har ett drain-source-motstånd på 5,5 mohm vid en gate-source-spänning på 10 V. Den har en maximal effektförlust på 48 W. Denna produkt har optimerats för lägre omkopplings- och ledningsförluster. MOSFET erbjuder utmärkt effektivitet tillsammans med en lång och produktiv livslängd utan att kompromissa med prestanda eller funktionalitet.

Funktioner och fördelar

• Halogen- och blyfri (Pb)-komponent

• Driftstemperaturområden mellan -55 °C och 150 °C

• TrenchFET effekt MOSFET

Användningsområden

• Adapteromkopplare

• Batteribrytare

• Lastomkopplare

• Bärbara datorer

Certifieringar

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg-testad

• UIS-testat