Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 74 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 735-113
- Tillv. art.nr:
- SiRA12BDP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Denna bild representerar endast produktgruppen
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 1 enhet)*
11,42 kr
(exkl. moms)
14,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 17 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Tejp(er) | Per tejp |
|---|---|
| 1 - 24 | 11,42 kr |
| 25 - 99 | 7,62 kr |
| 100 + | 4,14 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 735-113
- Tillv. art.nr:
- SiRA12BDP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 74A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kapseltyp | PowerPAK SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.006Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 38W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.25mm | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Bredd | 5.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 74A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Kapseltyp PowerPAK SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.006Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 38W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.25mm | ||
Höjd 1.1mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Bredd 5.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- TW
Vishays N-kanal MOSFET är utformad för effektiv och tillförlitlig strömomkoppling i högpresterande kraftelektronik. Den är helt Rg- och UIS-testad för att säkerställa robusthet under elektrisk påfrestning och krävande driftsförhållanden. Optimerad för låga förluster och snabb omkoppling, stöder den kompakta designer med hög effekttäthet samtidigt som den uppfyller RoHS-kompatibla och halogenfria krav.
Erbjuder 100 procent Rg- och UIS-testning för beprövad enhetstillförlitlighet
Stöder tillämpningar med DC/DC-omvandlare med hög effekttäthet
Möjliggör effektiv synkron likrikteringsprestanda
Uppfyller RoHS-standarder och halogenfria krav
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 158 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 101 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay N-kanal Kanal, MOSFET, 126 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -153.2 A -20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET