onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Power88, FCMT
- RS-artikelnummer:
- 178-4657
- Tillv. art.nr:
- FCMT250N65S3
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
159,50 kr
(exkl. moms)
199,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 3 980 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 15,95 kr | 159,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-4657
- Tillv. art.nr:
- FCMT250N65S3
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | Power88 | |
| Serie | FCMT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 250mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 90W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 8mm | |
| Höjd | 1.05mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp Power88 | ||
Serie FCMT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 250mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximal effektförlust Pd 90W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 8mm | ||
Höjd 1.05mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- PH
SUPERFET III MOSFET är ON Semiconductors helt nya högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre gate-laddningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ge överlägsen omkopplingsprestanda och motstå extrema dv/dt-hastigheter.
700 V vid TJ = 150 oC
Blyfritt ultratunt SMD-paket
Kelvin-kontakt
Ultralåg grindladdning (typ. Qg = 24 nC)
Låg effektiv utgångskapacitans (typ. Coss(eff.) = 248 pF)
Optimerad kapacitans
Typiskt RDS(on) = 210 mΩ
Fuktkänslighetsnivå 1-garanti
Intern grindresistans: 0,5 Ω
Fördelar:
Högre systemtillförlitlighet vid lågtemperaturdrift
Hög effekttäthet
Lågt grindbrus och omkopplingsförlust
Låg omkopplingsförlust
Låg omkopplingsförlust
Lägre topp-Vds och lägre Vgs-oscillation
Användningsområden:
Dator
Telekommunikation
Industri
Slutprodukter:
Telekom/server
(PB-745) Adapter
LED-belysning
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Power88, FCMT
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, FCMT
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, FCMT
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-263
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220