Vishay N Kanal, MOSFET, 14.2 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS110DN

RS-artikelnummer:: 178-3962
Tillv. art.nr:: SiS110DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Vishay N Kanal, MOSFET, 14.2 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiS110DN

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

212,90 kr

(exkl. moms)

266,13 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 14 januari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per förpackning*
25 +	8,516 kr	212,90 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-3962
Tillv. art.nr:: SiS110DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Vishay
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	14.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	PowerPAK 1212
	Serie	SiS110DN
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	70mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	24W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	8.5nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.07mm
	Längd	3.15mm
	Standarder/godkännanden	RoHS
	Bredd	3.15mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Vishay
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14.2A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp PowerPAK 1212
	Serie SiS110DN
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 70mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 24W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 8.5nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.07mm
	Längd 3.15mm
	Standarder/godkännanden RoHS
	Bredd 3.15mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet

RoHS-status: Undantagen

COO (ursprungsland):: CN

SiS110DN-serien MOSFET från Vishay, 100 V drain-källspänning, 14,2 A kontinuerlig drain-ström – SiS110DN-T1-GE3

Denna MOSFET är en ytmonterad N-kanalstransistor som är utformad för omkoppling och strömhantering i kompakta elektroniska enheter. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är avsedd för tillämpningar som kräver en balans mellan spänningshantering, strömkapacitet och måttlig grindladdning för effektiv styrning.

Funktioner och fördelar:

• 100 V avtappningstolerans möjliggör högspänningskopplingskapacitet
• Låg RDS(on) på 70 mΩ minskar ledningsförlusterna
• 14,2 A kontinuerlig dräneringsström stöder betydande belastningsströmmar
• Effektförlust på 24 W möjliggör hållbar strömhantering
• 8,5 nC typisk grindladdning underlättar responsiv grindstyrning
• ±20 V gate-source-klassning ger robust gate-spänningsmarginal

Användningsområden

• Lämplig för omkopplingssteg för DC/DC-omvandlare
• Idealisk för lågströmsväxling i motordrivenheter
• Används med synkron likriktare i nätaggregat
• Kan användas för lastväxling i telekomutrustning
• Lämplig för batterihantering och strömfördelning

Vilket temperaturområde kan jag förvänta mig för tillförlitlig drift?

Enheten är specifik för att fungera från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med stora temperaturvariationer.

Hur stöder förpackningen kretskortsmontering och kylning?

Den levereras i ett kompakt PowerPAK1212-paket för ytmontering med låg profil och rimlig värmeöverföring till kretskortet.

Vilka överväganden gäller för grinddrivning med tanke på grindladdningen?

Med en typisk grindladdning på 8,5 nC bör grinddrivare generera och sänka tillräckligt med ström för att växla i önskad hastighet utan överdrivningsförluster.

Finns det några regleringsbegränsningar för denna komponent?

Komponenten uppfyller RoHS-kraven för begränsade ämnen i elektroniska monteringar.