Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 178-1507
- Tillv. art.nr:
- IRFU120NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 150 till för att spara 5%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 75 enheter)*
374,18 kr
(exkl. moms)
467,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 825 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 75 - 75 | 4,989 kr | 374,18 kr | - |
| 150 - 300 | 4,739 kr | 355,43 kr | 5% |
| 375 - 675 | 4,54 kr | 340,50 kr | 8% |
| 750 - 1800 | 4,241 kr | 318,08 kr | 14% |
| 1875 + | 3,991 kr | 299,33 kr | 20% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-1507
- Tillv. art.nr:
- IRFU120NPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | IPAK | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 210mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 48W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 6.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.6mm | |
| Bredd | 2.3mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp IPAK | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 210mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 48W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 6.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.6mm | ||
Bredd 2.3mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon HEXFET-serien MOSFET, 9,4 A maximal kontinuerlig drain-ström, 100 V maximal drain-källspänning - IRFU120NPBF
Denna N-kanal MOSFET är utformad för högpresterande tillämpningar inom elektronik- och elsektorerna. Med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 9,4 A och en dräneringskällspänning på 100 V erbjuder denna enhet tillförlitlig funktionalitet i olika system. MOSFET är förpackad i ett IPAK TO-251-hölje och ger en kompakt lösning för effektiv strömhantering.
Funktioner & fördelar
• Utformad för drift i förstärkningsläge, ger tillförlitlig omkoppling
• Hög effektförlustkapacitet på 48 W förbättrar prestandan
• Idealisk för tillämpningar med hög ström i robusta elektroniska konstruktioner
• Enkel Si MOSFET-konfiguration säkerställer förenklad integrering
Användningsområden
• Används i energihanteringslösningar för automationssystem
• Används i motorstyrningskretsar för industriella maskiner
• Används i strömomvandlare för förnybara energisystem
• Lämpligt för konsumentelektronik som kräver tillförlitlig strömförsörjning
• Integrerad i motorstyrningar i elektriska och mekaniska
Vad är betydelsen av det låga Rds(on)-värdet?
Det låga Rds(on)-värdet på 210 mΩ säkerställer minimalt motstånd i påläge, vilket leder till förbättrad effektivitet och minskad värmegenerering under drift. Denna egenskap är särskilt viktig i högfrekvenstillämpningar där effektförlusten kan vara betydande.
Hur fungerar MOSFET under extrema temperaturer?
Med en maximal drifttemperatur på +175 °C och ett minimum på -55 °C är denna enhet konstruerad för att upprätthålla konsekvent prestanda i krävande miljöer. Denna motståndskraft gör den lämplig för en mängd olika tillämpningar där temperaturfluktuationer är vanliga.
Vilka fördelar ger förstärkningsläget för kretskonstruktörer?
Förbättringsläge gör att transistorn normalt är avstängd, vilket förbättrar kretsstabiliteten och förhindrar oönskat strömflöde under inaktiva perioder. Denna funktion ger designers ökad kontroll över systemets strömhantering.
Kan denna MOSFET användas i tillämpningar med hög effekt?
Ja, med en effektförlustkapacitet på 48 W och en maximal kontinuerlig dräneringsström på 9,4 A är denna MOSFET väl lämpad för tillämpningar med hög effekt. Dess robusthet säkerställer tillförlitlighet i krävande elektriska miljöer.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 75 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 160 A 30 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, IPAK, HEXFET