Vishay Typ P Kanal, Effekt-MOSFET, -6.7 A -60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, IRF9Z14

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 50 enheter)*

529,55 kr

(exkl. moms)

661,95 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 300 enhet(er) från den 15 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
50 - 5010,591 kr529,55 kr
100 - 2009,003 kr450,15 kr
250 +7,943 kr397,15 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
178-0838
Tillv. art.nr:
IRF9Z14PBF
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

-6.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

-60V

Kapseltyp

TO-220AB

Serie

IRF9Z14

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

500mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

43W

Framåtriktad spänning Vf

-5.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

9.01mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Bredd

4.7mm

Längd

10.41mm

Fordonsstandard

Nej

Vishay IRF9Z14-serien effekt-MOSFET, 60 V drain-källspänning, 43 W effektförlust - IRF9Z14PBF


Denna effekt-MOSFET är en P-kanal-enhet som är utformad för omkopplings- och förstärkningsuppgifter i elektronik med medelhög effekt. Den fungerar med negativa drain-source- och gate-source-polariteter och levereras i en TO-220AB-kapsel med genomgående hål som är lämplig för kort som kräver robust montering och termisk anslutning. Komponenten uppfyller RoHS och är avsedd för tillämpningar som kräver definierad grindstyrning och tillförlitlig strömhantering i begränsade termiska miljöer.

Funktioner och fördelar:


• Klassad för -60 V drain-source-spänning som möjliggör P-kanalkonstruktioner med högre spänning
• Maximal kontinuerlig dräneringsström på -6,7 A stöder betydande belastningsströmmar
• Maximal effektförlust på 43 W möjliggör kontinuerlig termisk belastning
• Typisk grindladdning 12 nC minskar omkopplingsenergi och övergångsförluster
• Låg RDS(on) på 500 mΩ minimerar ledningsförluster under driftförhållanden
• Tolerant driftområde -55 °C till 175 °C för system med förhöjd temperatur

Användningsområden


• Lämplig för omkopplingsuppgifter för ljudförstärkare
• Idealisk för diskret high-side-omkoppling i nätaggregat
• Används med hålmonteringar som kräver fast kylelementfäste
• Kan användas för motordrivkretsar som behöver en P-kanalkonfiguration
• Lämplig för byte i konstruktioner som behöver 60 V P-kanal-enheter

Vad är förpackningen och monteringsstilen för kortintegrering?


Enheten levereras i en TO-220AB-förpackning med tre stift för montering genom hål, vilket underlättar enkla lödanslutningar och mekanisk stabilitet.

Hur påverkar gränsspänningsgränsen styrkretsen?


Den maximala nominella gate-källspänningen är 20 V, så drivkretsar måste hålla grindssvingningar inom denna gräns för att undvika skador.

Vilka termiska överväganden bör jag observera under kretskortsdesign?


Med en maximal dissipation på 43 W bör konstruktörer tillhandahålla en kylelement eller tillräcklig kopparyta och överväga termiska vägar för att bibehålla kopplingstemperaturer.

Hur påverkar kanaltyp och läge kopplingsbeteendet?


Som en P-kanalförstärkningsenhet kräver den en grindspänning som är mer positiv i förhållande till källan för att stänga av och mer negativ i förhållande till källan för att slå på, lämplig för hög-side-arrangemang.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.