Microchip N Kanal, MOSFET, 260 mA 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-243, TN2540
- RS-artikelnummer:
- 177-9854P
- Tillv. art.nr:
- TN2540N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Antal 10 enheter (levereras på en kontinuerlig remsa)*
141,93 kr
(exkl. moms)
177,41 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 05 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 10 + | 14,193 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 177-9854P
- Tillv. art.nr:
- TN2540N8-G
- Tillverkare / varumärke:
- Microchip
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Microchip | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 260mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 400V | |
| Kapseltyp | TO-243 | |
| Serie | TN2540 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.6W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.8V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 4.6mm | |
| Bredd | 2.6mm | |
| Höjd | 1.6mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Microchip | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 260mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 400V | ||
Kapseltyp TO-243 | ||
Serie TN2540 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 1.6W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.8V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 4.6mm | ||
Bredd 2.6mm | ||
Höjd 1.6mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Denna transistor med låg tröskel, förstärkningsläge (normalt avstängd) använder en vertikal DMOS-struktur och välbeprövad tillverkningsprocess med silikongrind. Denna kombination ger en enhet med effekthanteringskapaciteten hos bipolära transistorer och den höga ingångsimpedansen och positiva temperaturkoefficienten som är inneboende i MOS-enheter. Karaktäristisk för alla MOS-strukturer, denna enhet är fri från termisk runaway och termisk-inducerad sekundärnedbrytning. Vertikala DMOS FET är idealiska för ett brett utbud av omkopplings- och förstärkningstillämpningar där mycket låg tröskelspänning, hög brytningsspänning, hög ingångsimpedans, låg ingångskapacitans och snabba omkopplingshastigheter önskas.
Låg tröskel (2, 0 V max.)
Hög ingångsimpedans
Låg ingångskapacitans (max. 125 pF)
Snabba växlingshastigheter
Låg på-resistans
Fri från sekundära avbrott
Lågt ingångs- och utgångsläckage