Microchip Typ N Kanal, MOSFET, 260 mA 400 V Förbättring, 3 Ben, TO-243, TN2540

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

141,93 kr

(exkl. moms)

177,41 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 930 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 +14,193 kr141,93 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
177-9854
Tillv. art.nr:
TN2540N8-G
Tillverkare / varumärke:
Microchip
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Microchip

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

260mA

Maximal källspänning för dränering Vds

400V

Kapseltyp

TO-243

Serie

TN2540

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

12Ω

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

1.6W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.8V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.6mm

Längd

4.6mm

Fordonsstandard

Nej

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown. vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

Low threshold (2.0V max.)

High input impedance

Low input capacitance (125pF max.)

Fast switching speeds

Low on-resistance

Free from secondary breakdown

Low input and output leakage

Relaterade länkar