ROHM N Kanal, MOSFET, 24 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, R6024ENJ

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

26 163,00 kr

(exkl. moms)

32 704,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 05 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +26,163 kr26 163,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
172-0366
Tillv. art.nr:
R6024ENJTL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

R6024ENJ

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

320mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

70nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal effektförlust Pd

245W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

4.7mm

Bredd

9.2mm

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

Effekt-MOSFET:er tillverkas som enheter med låg ON-resistans av mikroprocessortekniker som är användbara för ett brett spektrum av tillämpningar. Brett sortiment som täcker kompakta typer, högeffektiva typer och komplexa typer för att möta olika behov på marknaden.

Lågt motstånd vid påverkan.

Snabb växlingshastighet.

Gate-source-spänning (VGSS) garanterat ±20 V.

Drivkretsar kan vara enkla.

Parallell användning är lätt.

Blyfri plätering

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.