ROHM N Kanal, MOSFET, 24 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, R6024ENJ

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

26 163,00 kr

(exkl. moms)

32 704,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 +26,163 kr26 163,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
172-0366
Tillv. art.nr:
R6024ENJTL
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

R6024ENJ

Kapseltyp

TO-263

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

320mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

70nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

245W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

9.2mm

Höjd

4.7mm

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

Effekt-MOSFET:er tillverkas som enheter med låg ON-resistans av mikroprocessortekniker som är användbara för ett brett spektrum av tillämpningar. Brett sortiment som täcker kompakta typer, högeffektiva typer och komplexa typer för att möta olika behov på marknaden.

Lågt motstånd vid påverkan.

Snabb växlingshastighet.

Gate-source-spänning (VGSS) garanterat ±20 V.

Drivkretsar kan vara enkla.

Parallell användning är lätt.

Blyfri plätering

Relaterade länkar