ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5E025SN
- RS-artikelnummer:
- 171-9804
- Tillv. art.nr:
- RQ5E025SNTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 100 enheter)*
256,50 kr
(exkl. moms)
320,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 18 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 2,565 kr | 256,50 kr |
| 500 - 900 | 2,309 kr | 230,90 kr |
| 1000 - 1400 | 2,097 kr | 209,70 kr |
| 1500 - 1900 | 1,928 kr | 192,80 kr |
| 2000 + | 1,819 kr | 181,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 171-9804
- Tillv. art.nr:
- RQ5E025SNTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SC-96 | |
| Serie | RQ5E025SN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 118mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3mm | |
| Höjd | 0.95mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SC-96 | ||
Serie RQ5E025SN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 118mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3mm | ||
Höjd 0.95mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
RQ5E025SN är en småsignal-MOSFET med lågt påslagningsmotstånd och inbyggd G-S-skyddsdiod. Den är lämplig för omkoppling.
Lågt motstånd vid tändning.
Inbyggd G-S-skyddsdiod.
Litet ytomonteringspaket (TSMT3).
Blyfri plätering
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 2.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5E025SN
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 1 A 100 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RSR010N10
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 6 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5C060BC
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5L015SP
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 3.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5E035AT
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 1.5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RRR015P03
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 3 A 12 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5A030AP
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 3 A 45 V Förbättring, 3 Ben, SC-96, RQ5H030TN