Toshiba Typ N Kanal, Fälteffekttransistorer, 4.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UF6, SSM6K403TU AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

26,95 kr

(exkl. moms)

33,70 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 1 400 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 +1,078 kr26,95 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
171-2490
Tillv. art.nr:
SSM6K403TU
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

Fälteffekttransistorer

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4.2A

Maximal källspänning för dränering Vds

20V

Kapseltyp

UF6

Serie

SSM6K403TU

Typ av fäste

Yta

Antal ben

6

Maximal drain-källresistans Rds

66mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16.8nC

Framåtriktad spänning Vf

-0.8V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

500mW

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

0.7mm

Längd

1.7mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
TH
1,5 V-drivning

Lågt på-motstånd: Ron = 66 mΩ (max) (vid VGS = 1,5 V)

Ron = 43 mΩ (max) (vid VGS = 1,8 V)

Ron = 32 mΩ (max) (vid VGS = 2,5 V)

Ron = 28 mΩ (max) (vid VGS = 4,0 V)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.