Vishay Enkel N Kanal, MOSFET, 50 A 50 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SQ Rugged AEC-Q101, AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 170-8302
- Tillv. art.nr:
- SQD50N05-11L_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 170-8302
- Tillv. art.nr:
- SQD50N05-11L_GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) | 50 A | |
| Maximal källspänning för dränering (Vds) | 50 V | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Antal ben | 3 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101, AEC-Q101 | |
| Höjd | 2.38 mm | |
| Längd | 6.73 mm | |
| Maximal arbetstemperatur | 175 °C | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55 °C | |
| Typ av fäste | Kretskort, Yta | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id) 50 A | ||
Maximal källspänning för dränering (Vds) 50 V | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Antal ben 3 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie SQ Rugged | ||
Fordonsstandard AEC-Q101, AEC-Q101 | ||
Höjd 2.38 mm | ||
Längd 6.73 mm | ||
Maximal arbetstemperatur 175 °C | ||
Minsta arbetsstemperatur -55 °C | ||
Typ av fäste Kretskort, Yta | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Bredd 6.22 mm | ||
N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.
Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs
• AEC-Q101 qualified
• Junction temperature up to +175°C
• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies
• Innovative space-saving package options
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
Relaterade länkar
- Vishay Enkel N Kanal, MOSFET, 50 A 50 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SQ Rugged AEC-Q101, AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 50 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 40 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 11 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay N Kanal, TrenchFET effekt-MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 8 A 20 V Förbättring, 6 Ben, TSOP, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, SQ Rugged AEC-Q101
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 6.2 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, SQ Rugged AEC-Q101
