onsemi N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, 2N7000
- RS-artikelnummer:
- 169-8553
- Tillv. art.nr:
- 2N7000
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (10000 enheter, på en rulle med 10000)*
14 980,00 kr
(exkl. moms)
18 720,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 10 000 enhet(er) levereras från den 25 november 2026
- Dessutom levereras 10 000 enhet(er) från den 10 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 10000 + | 1,498 kr | 14 980,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 169-8553
- Tillv. art.nr:
- 2N7000
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-92 | |
| Serie | 2N7000 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 880mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 400mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.2mm | |
| Höjd | 5.33mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.19mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-92 | ||
Serie 2N7000 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 880mV | ||
Maximal effektförlust Pd 400mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.2mm | ||
Höjd 5.33mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.19mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, 2N7000
- Microchip N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, 2N7000
- onsemi N Kanal, MOSFET, 500 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, BS170
- onsemi N Kanal, MOSFET, 0.3 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, QFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 92 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, PowerTrench
- onsemi N Kanal, Effekt-MOSFET, 92 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-220AB, PowerTrench
- onsemi N Kanal, Fälteffekttransistorer, 400 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-92, BS270
- onsemi N Kanal, Enkla MOSFETs, 200 mA 60 V N, 3 Ben, TO-92, 2N700