DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 14.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN2011UFDF AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 168-9549
- Tillv. art.nr:
- DMN2011UFDF-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
5 001,00 kr
(exkl. moms)
6 252,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 07 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,667 kr | 5 001,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-9549
- Tillv. art.nr:
- DMN2011UFDF-7
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | UDFN | |
| Serie | DMN2011UFDF | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 35mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 700mV | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.1W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 2.05mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.05mm | |
| Höjd | 580μm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp UDFN | ||
Serie DMN2011UFDF | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 35mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 700mV | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal effektförlust Pd 2.1W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 2.05mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.05mm | ||
Höjd 580μm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanal MOSFET, 12 V till 28 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 14.2 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN2011UFDF AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 14.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333, DMN4010LFG AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 14.1 A 30 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMT AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 7 A 30 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN3042LFDF AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 10 A 30 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 11 A 20 V Förbättring, 6 Ben, UDFN-2020 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 9.8 A 12 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 2.2 A 100 V Förbättring, 6 Ben, UDFN, DMN10H220LFDF AEC-Q101