Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

RS-artikelnummer:: 168-6012
Tillv. art.nr:: IRFS4010TRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Antal (800 enheter, på en rulle med 800)*

13 044,80 kr

(exkl. moms)

16 305,60 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 18 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
800 +	16,306 kr	13 044,80 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 168-6012
Tillv. art.nr:: IRFS4010TRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	180A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Kapseltyp	TO-263
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	4.7mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	143nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	375W
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	-20V, +20V
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	9.65mm
	Höjd	4.83mm
	Längd	10.67mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Serie HEXFET
	Kapseltyp TO-263
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 4.7mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 143nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 375W
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 9.65mm
	Höjd 4.83mm
	Längd 10.67mm
	Fordonsstandard Nej

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 180 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 375 W maximal effektförlust - IRFS4010TRLPBF

Denna högeffekts MOSFET levererar starka prestanda i olika tillämpningar, vilket är avgörande för moderna elektroniska system. Dess förstärkningsläge och avancerad HEXFET-teknik ger effektiv strömhantering, vilket gör den lämplig för tillämpningar som kräver tillförlitlig strömstyrning.

Funktioner & fördelar

• Stöder kontinuerlig dräneringsström upp till 180 A för betydande belastningar

• Maximal drain-källspänning på 100 V för flexibilitet

• Låg Rds(on) på 4,7 mΩ minimerar effektförlusten under drift

• Utformad i en enda konfiguration för enklare integration

• Hanterar temperaturer upp till +175 °C effektivt

• Kapabel för höghastighetsströmomkoppling för effektiv drift

Användningsområden

• Används i synkronlikriktelse för switchade nätaggregat

• Lämpligt för avbrottsfria strömförsörjningssystem

• Används i hårt omkopplade och högfrekventa kretsar

• Används i automationsutrustning som behöver effektiv strömhantering

• Integreras väl i olika elektriska och mekaniska projekt

Hur påverkar motståndet prestandan i högfrekventa tillämpningar?

En låg Rds(on) minskar avsevärt värmegenerering och effektförlust, vilket förbättrar effektiviteten hos högfrekventa strömomvandlare.

Vilken grindspänning krävs för att säkerställa optimal drift?

Enheten fungerar effektivt med en gate-källspänning mellan 2 V och 4 V, med 10 V rekommenderad för maximal effektivitet.

Är installationen enkel för denna komponent?

Ja, denna ytmonterade MOSFET är utformad för enkel placering på kretskort, vilket möjliggör snabba och tillförlitliga konfigurationer i olika enheter.

Kan den hantera värmehantering effektivt?

Med en maximal driftförbindningstemperatur på +175 °C är den lämplig för användning i miljöer som kräver solida termiska prestanda.

Vilka typer av kretsar kan dra nytta av att integrera denna komponent?

Den är idealisk för höghastighetsomkopplingstillämpningar, lastdrivkretsar och strömhanteringssystem inom automation och elektriska områden.