STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 28 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, MDmesh DM2

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
168-5899
Tillv. art.nr:
STW35N60DM2
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

28A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Serie

MDmesh DM2

Kapseltyp

TO-247

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

110mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

54nC

Maximal effektförlust Pd

210W

Framåtriktad spänning Vf

-6.3V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.75mm

Höjd

20.15mm

Fordonsstandard

Nej

N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics


The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.

High dV/dt capability for improved system reliability

AEC-Q101 qualified

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar