IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, HiperFET, Polar

Antal (1 rör med 50 enheter)*

1 896,85 kr

(exkl. moms)

2 371,05 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 50 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
50 +37,937 kr1 896,85 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-4468
Tillv. art.nr:
IXTP75N10P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

75A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Serie

HiperFET, Polar

Kapseltyp

TO-220

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

25mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

360W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

74nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

9.15mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

15.8mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar