onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, RFD3055LESM
- RS-artikelnummer:
- 166-3195
- Tillv. art.nr:
- RFD3055LESM9A
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (1 rulle med 2500 enheter)*
7 090,00 kr
(exkl. moms)
8 862,50 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 2,836 kr | 7 090,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 166-3195
- Tillv. art.nr:
- RFD3055LESM9A
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | RFD3055LESM | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 107mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 38W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.22 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie RFD3055LESM | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 107mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Maximal effektförlust Pd 38W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.22 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.39mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 11 A 60 V Förbättring TO-252, RFD3055LESM
- onsemi Typ P Kanal 11 A 30 V Förbättring TO-252, PowerTrench AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal 14 A 50 V Förbättring TO-252
- onsemi Typ N Kanal 45 A 40 V Förbättring TO-252
- onsemi Typ N Kanal 20 A 60 V Förbättring TO-252
- STMicroelectronics Typ N Kanal 11 A 600 V Förbättring TO-252
- ROHM Typ N Kanal 11 A 650 V Förbättring TO-252
- onsemi Typ N Kanal 24 A 60 V Förbättring TO-252, NTD24N06L