onsemi N Kanal, MOSFET, 10.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, MLP, UltraFET
- RS-artikelnummer:
- 124-1701
- Tillv. art.nr:
- FDMS5672
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Antal (3000 enheter, på en rulle med 3000)*
61 566,00 kr
(exkl. moms)
76 956,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 13 augusti 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 20,522 kr | 61 566,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 124-1701
- Tillv. art.nr:
- FDMS5672
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Serie | UltraFET | |
| Kapseltyp | MLP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 12mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 2.5W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6mm | |
| Höjd | 0.75mm | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Serie UltraFET | ||
Kapseltyp MLP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 12mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximal effektförlust Pd 2.5W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6mm | ||
Höjd 0.75mm | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET kombinerar egenskaper som möjliggör benchmark-effektivitet i applikationer för effektomvandling. Enheten kan motstå hög energi i lavinläget och dioden uppvisar mycket låg omvänd återhämtningstid och lagrad laddning. Optimerad för effektivitet vid höga frekvenser, lägsta RDS(on), lågt ESR och låg total- och Miller-grindladdning.
Tillämpningar inom högfrekventa DC/DC-omvandlare, switchade regulatorer, motorstyrningar, lågspänningsbusswitchar och strömhantering.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 10.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, MLP, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 3 A 250 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 7.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 48 A 80 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 250 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 200 V Förbättring, 8 Ben, WDFN, UltraFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 19 A 150 V Förbättring, 8 Ben, MLP, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 10 A 40 V Förbättring, 6 Ben, MLP, PowerTrench