onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 50 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 166-2732
- Tillv. art.nr:
- RFD14N05LSM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 75 enheter)*
516,675 kr
(exkl. moms)
645,825 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 900 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | 6,889 kr | 516,68 kr |
| 150 - 450 | 4,84 kr | 363,00 kr |
| 525 - 975 | 4,271 kr | 320,33 kr |
| 1050 - 2475 | 4,16 kr | 312,00 kr |
| 2550 + | 4,059 kr | 304,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 166-2732
- Tillv. art.nr:
- RFD14N05LSM
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 50V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 100mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Maximal effektförlust Pd | 48W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 50V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 100mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Maximal effektförlust Pd 48W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.39mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Enhancement Mode N-kanal MOSFET, Fairchild Semiconductor
Fälteffekttransistorer (FET) i Enhancement Mode tillverkas med Fairchilds egenutvecklade DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna högdensitetsprocess har utformats för att minimera on-state-motståndet, ge robust och tillförlitlig prestanda och snabb omkoppling.
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 50 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 14 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 40 V Förbättring, 4 Ben, TO-252
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, NTD18N06L
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperFET
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, NTD24N06L