onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- RS-artikelnummer:
- 759-9043
- Tillv. art.nr:
- FDD120AN15A0
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 107,50 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
77,28 kr
(exkl. moms)
96,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 170 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 15,456 kr | 77,28 kr | - |
| 50 - 95 | 13,306 kr | 66,53 kr | 107,50 kr |
| 100 - 495 | 11,536 kr | 57,68 kr | 392,00 kr |
| 500 - 995 | 10,124 kr | 50,62 kr | 2 666,00 kr |
| 1000 + | 9,228 kr | 46,14 kr | 6 228,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 759-9043
- Tillv. art.nr:
- FDD120AN15A0
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 14A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 282mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 65W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 11.2nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie PowerTrench | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 282mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 65W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 11.2nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.39mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
PowerTrench® N-kanalig MOSFET, 10A till 19,9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semi
ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.
ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 14 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 11.4 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 21 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 26 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 8 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi Typ P Kanal, PowerTrench MOSFET, 50 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 57 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench
- onsemi N Kanal, MOSFET, 58 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, PowerTrench