onsemi N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, SuperFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

27 955,20 kr

(exkl. moms)

34 944,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 +34,944 kr27 955,20 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
166-1748
Tillv. art.nr:
FCB20N60TM
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-263

Serie

SuperFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

190mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.4V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-30V, +30V

Maximal effektförlust Pd

208W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

75nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Bredd

9.65mm

Höjd

4.83mm

Längd

9.65mm

Fordonsstandard

Nej

SuperFET® och SuperFET® II N-kanalig MOSFET, Fairchild Semiconductor


Fairchild har lagt till SuperFET® II-familjen av MOSFET:er för högspänningseffekt med Super Junction-teknik. Den ger klassledande prestanda för robusta dioder i AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS), t.ex. servrar, telekom, datorer, industriell strömförsörjning, UPS/ESS, solcellsinverterare och belysningsapplikationer, som kräver hög effekttäthet, systemeffektivitet och tillförlitlighet.

Med hjälp av en avancerad laddningsbalanseringsteknik kan konstruktörerna uppnå mer effektiva, kostnadseffektiva och högpresterande lösningar som tar mindre plats på kretskortet och förbättrar tillförlitligheten.

MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar