onsemi N Kanal, MOSFET, 12.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, PowerTrench

Se alla MOSFET-transistor
Försörjningsbrist
På grund av en global utbudsbrist vet vi inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
166-1691
Tillv. art.nr:
FDS6680A
Tillverkare / varumärke:
onsemi
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

onsemi

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

12.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SOIC

Serie

PowerTrench

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

10mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.7V

Maximal effektförlust Pd

2.5W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20, +20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

4mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

5mm

Höjd

1.5mm

Fordonsstandard

Nej

PowerTrench® N-kanalig MOSFET, 10A till 19,9A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-transistorer, ON Semi


ON Semi erbjuder en omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar högspänning (>250 V) och lågspänning (<250 V) typer. Den avancerade kiseltekniken ger mindre matrisstorlekar, som den är inbyggd i flera industristandard och värmeförstärkta kapslingar.

ON Semi MOSFET-transistorer ger överlägsen konstruktionstillförlitlighet från minskade spänningsspikar och överspänning, för att sänka kopplingskapaciteten och omvänd återställningsladdning, för att eliminera ytterligare externa komponenter för att hålla systemen igång och igång längre.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.