Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

RS-artikelnummer:: 165-8030
Tillv. art.nr:: IRFR4620TRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 200 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

23 565,00 kr

(exkl. moms)

29 457,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

3 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
3000 +	7,855 kr	23 565,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 165-8030
Tillv. art.nr:: IRFR4620TRLPBF
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	24A
	Maximal källspänning för dränering Vds	200V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	HEXFET
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	78mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Framåtriktad spänning Vf	1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	25nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	144W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Bredd	7.49mm
	Höjd	2.39mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	6.73mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A
	Maximal källspänning för dränering Vds 200V
	Kapseltyp TO-252
	Serie HEXFET
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 78mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Framåtriktad spänning Vf 1.3V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 25nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 144W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Bredd 7.49mm
	Höjd 2.39mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 6.73mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: CN

Infineon HEXFET-serien MOSFET, 200 V maximal drain-källspänning, 24 A maximal kontinuerlig drain-ström – IRFR4620TRLPBF

Denna n-kanals MOSFET med förstärkningsläge är en ytmonterad effekttransistor som är utformad för omkopplings- och effektomvandlingsroller i elektroniska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde, vilket gör den lämplig för krävande termiska miljöer, och ger högspänningsomkopplingsförmåga för tillämpningar som kräver robusta dräneringskällor.

Funktioner och fördelar:

• 200 V-klassning möjliggör högspänningsomkopplingsförmåga
• 24 A kontinuerlig dräneringsström stöder betydande belastningsströmmar
• 78 mΩ Rds(on) ger låga ledningsförluster
• 25 nC typisk grindladdning möjliggör snabb grindväxling
• Maximal effektförlust på 144 W klarar betydande värmebelastning

Användningsområden

• Lämpligt för högspännings-DC-DC-omvandlare i strömförsörjningar
• Idealisk för omkopplingssteg för motorstyrning i industriella system
• Används med batterihanteringskretsar som kräver 200 V tolerans
• Kan användas för synkronlikriktelse i kraftmoduler

Vilka grinddrivkretsar krävs för snabb omkoppling?

Använd en drivare som kan generera och sänka ström för att ladda grinden inom den typiska totala grindladdningsbudgeten på 25 nC för att balansera omkopplingshastigheten och minimera övergångsförluster.

Hur påverkar värmehanteringen kontinuerlig drift vid höga strömmar?

För att upprätthålla 24 A kontinuerlig ström och upp till 144 W dissipation, se till att tillräcklig kopparyta på kretskortet eller värmesänkning och bibehålla kopplingstemperaturer inom det angivna arbetsområdet.

Vilka är gränserna för grind- och avtappningsspänningar för att undvika skador?

Håll grind-till-källspänningen inom ±20 V och se till att dränering-till-källa aldrig överstiger 200 V maximalt värde under alla driftsförhållanden.

Hur beter sig enheten i kalla och varma miljöer?

Den är specificerad för att fungera från -55 °C upp till 175 °C, så konstruktionsmarginaler bör ta hänsyn till parameterförskjutningar som t.ex. variationer i påslagningsresistans över det temperaturområdet.