STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, STripFET H7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

14 451,00 kr

(exkl. moms)

18 064,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
1000 - 100014,451 kr14 451,00 kr
2000 +14,273 kr14 273,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-6549
Tillv. art.nr:
STB100N10F7
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-263

Serie

STripFET H7

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

61nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

150W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

4.6mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.4mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanals STripFET™ H7-serien, STMicroelectronics


STripFET™ MOSFETs med ett brett genombrottsspänningsområde ger extremt låg grindladdning och låg på-resistans.

MOSFET-transistorer, STMicroelectronics


Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.