Infineon N Kanal, MOSFET, 240 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, StrongIRFET
- RS-artikelnummer:
- 165-6501
- Tillv. art.nr:
- IRFS7534TRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 800 enheter)*
15 268,00 kr
(exkl. moms)
19 084,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | 19,085 kr | 15 268,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-6501
- Tillv. art.nr:
- IRFS7534TRL7PP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 240A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.95mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 290W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 200nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 9.65mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 240A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.95mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 290W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 200nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 9.65mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Höjd 4.83mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon StrongIRFET-serien MOSFET, 240 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 290 W maximal effektförlust - IRFS7534TRL7PP
Denna MOSFET är utformad för högpresterande tillämpningar och erbjuder tillförlitlighet och effektivitet. Den förbättrar prestandan för olika elektroniska system avsevärt, särskilt i strömhantering och motorstyrningstillämpningar, och är lämplig för olika branscher, inklusive automation och elektronik.
Funktioner & fördelar
• Låg påslagningsresistans minimerar effektförluster
• Förbättrad kroppsdiodkapacitet ökar den övergripande effektiviteten
• Kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på 240 A uppfyller strikta krav
• Mångsidig grindspänningströskel möjliggör förbättrad kontroll
• Robust avalanche-klassning ökar tillförlitligheten
Användningsområden
• Kan användas i borstade och BLDC-motordrivsystem
• Lämplig för batteridrivna kretsar
• Effektiv i konfigurationer med halv- och helbrygga
• Används i lösningar för synkrona likriktare
• Används i DC/DC- och AC/DC-omvandlare
Vilken är den maximala temperaturen komponenten kan arbeta med?
Komponenten kan fungera vid en maximal kopplingstemperatur på +175 °C, vilket möjliggör funktionalitet i utmanande miljöer utan prestandaförlust.
Hur hanterar MOSFET strömförlust?
Den har en maximal effektförlustkapacitet på 290 W när den är monterad på lämpliga kretskortskonfigurationer, vilket säkerställer konsekvent prestanda under drift.
Vad är betydelsen av nominell spänning från grind till källa?
Den nominella gate-to-source-spänningen på ±20 V anger de tillåtna spänningar som tillämpas, vilket säkerställer säker drift i olika tillämpningar.
Kan denna MOSFET integreras i befintliga kretsdesigner?
Ja, den har standard D2PAK-7-förpackning, vilket gör den kompatibel med ett brett utbud av kretskortskonstruktioner och underlättar enkel integrering i nuvarande system.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 240 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 195 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 360 A 40 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 363 A 60 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 40 A 40 V Förbättring, 3 Ben, ISOMETRISK, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 69 A 250 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 300 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, StrongIRFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, StrongIRFET
